位于纽约上州Niskayuna的通用集团全球研发中心。(谷歌地图)

通用电气（GE）全球研究部一名42岁的半导体工程师随杨（Yang Sui，音译），28日在纽约北区联邦法庭认罪，承认他在2015年至2017年间，从GE窃取了多个与碳化硅MOSFET的研究、设计和制造有关的电子文件。

MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。根据起诉书，碳化硅MOSFET被用于通用电气的各种零件和产品，包括航空设备和风力涡轮机。

据随杨在领英网（LinkedIn）上发布的个人页面信息，他在哈尔滨读完高中后于1996年考上清华大学，攻读材料科学，之后在爱阿华州立大学和普渡大学分别获取硕士和博士学位，博士期间他曾担任普渡大学中国学生学者联谊会副会长；2010年10月至2018年1月，他在位于纽约上州Niskayuna的通用集团全球研发中心担任半导体装置工程师。

纽约北区联邦法院法官Mae A. D’Agostino将在今年9月22日对随杨判刑。随杨所犯的“窃取商业机密罪”面临最高10年的监禁，最高25万美元或犯罪所得金钱收益两倍的罚款，外加刑满后最高三年监督释放。

此案由联邦调查局（FBI）调查，由联邦助理检察官和国家安全部审判律师起诉。

该案也是近年来由通用电气（GE）提出的商业秘密盗窃案之一。2014年来自中国的电脑软体工程师谢军（Jun Xie，音译）被控盗窃通用属下医疗集团（GE Healthcare）的商业机密，窃取了1.4 GB或240万个信息文件包括工程设计、产品测试信息和业务战略发送给中国的亲戚。由于他是用H-1B工作签证在美工作，定罪后即被递解出境。

2018年另一起案件仍在审理中。该案件中，中国“千人计划”专家、GE工程师郑小清在GE动力及水能（GE Power& Water）工作期间，用“隐写术”窃取含有天然气与蒸气涡轮科技设计模型、工程图及其它细节的电子档。随后他将这些档案寄给位于中国的商人张照曦（Zhaoxi Zhang，音译）。郑小清2018年在纽约上州Niskayuna镇被捕，纽约北区联邦法庭定于今年9月21日遴选陪审团审理此案。

来源：大纪元记者蔡溶纽约纽约报导